描述：單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)相對于CVD系統(tǒng)增加了等離子發(fā)生器
| 品牌 | 其他品牌 | 升溫速度（達到最高溫） | 60/min |
|---|---|---|---|
| 內(nèi)部尺寸 | φ100mm | 加熱方式 | 合金電阻絲 |
| 最大功率 | 3500kW | 控溫精度 | ±1℃℃ |
| 最高溫度 | 1200℃ | 價格區(qū)間 | 面議 |
| 儀器種類 | 管式爐 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)
一、PECVD系統(tǒng)組成：
單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。
二、系統(tǒng)特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)
2、PECVD比普通CVD進行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小
4、單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)比普通CVD進行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高
5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長
三、系統(tǒng)組成
1、HGSK2-10-12DZ單溫區(qū)滑竿式管式爐
1.1、爐管尺寸：φ100*1800mm
1.2、爐管材質(zhì)：石英玻璃
1.3、外型尺寸：1800*460*660mm
1.4、溫區(qū)數(shù)量：單溫區(qū)
1.5、設(shè)計溫度：1200℃
1.6、電源功率：AV200V\50Hz；3.5kw
1.7、滑軌材質(zhì)：不銹鋼
1.8、滑動方式：手動不銹鋼滾珠軸承
1.9、控溫儀表：智能30段程序控溫儀表
1.10、控溫精度：±1℃
1.11、加熱區(qū)長度：400mm
1.12、控制方式：可控硅觸發(fā)控制
1.13、熱電偶：K型
1.14、安全措施：超溫、過壓、過流
1.15、真空密封：不銹鋼法蘭
2、射頻電源（等離子發(fā)生器）
2.1、功率范圍：0-500w
2.2、最大發(fā)射功率：200w
2.3、射頻寬度：0-600mm
2.4、射頻接口：50Ω N-TYPE
2.5、射頻工作頻率：13.56MHZ
2.6、電源：AC220v、50Hz
3、供氣系統(tǒng)
3.1、雙路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)
3.2、質(zhì)子流量計流量范圍可選
3.3、進出氣接口：標(biāo)配雙卡套不銹鋼接頭
3.4、供氣系統(tǒng)壓力范圍：0.1-0.5MPa
3.5、混氣室：φ50*400mm
3.6、接口規(guī)格：φ6 1/4"
4、真空抽氣系統(tǒng)：
4.1、真空泵FX-16
4.1.1、極限壓強：4*10-2Pa
4.1.2、進氣接口：KF25
4.1.3、電機轉(zhuǎn)速：1440RPM
4.1.4、抽氣速率：4L/S
4.1.5、電機功率：550w
4.2、電阻真空計ZDR-1
4.2.1、功率：25w
4.2.2、真空度范圍：0.1-10*5Pa
4.2.3、電阻硅：ZJ-52T
HGSK2-10-12DZ-PECVD單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)配置：
單溫區(qū)滑竿式管式爐一臺、射頻電源一套、兩路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)一套、抽真空系統(tǒng)一套
